အီလက်ထရွန်းနစ်အတွက် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်အလွှာ

အီလက်ထရွန်းနစ်အတွက် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်အလွှာ

အီလက်ထရွန်းနစ်အတွက် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်အလွှာသည် မြင့်မားသော ကြံ့ခိုင်မှု၊ တာရှည်ခံမှုနှင့် အပူပိုင်းတည်ငြိမ်မှု လိုအပ်သည့် အမျိုးမျိုးသော စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုသည့် အထူးပြုကြွေထည်ပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ဆီလီကွန်၊ နိုက်ထရိုဂျင်နှင့် အခြားဒြပ်စင်များ ပေါင်းစပ်ကာ ပြုလုပ်ထားပြီး ထူးခြားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ၊ အပူနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကို ပေးစွမ်းသည်။

Si3N4 ကြွေထည်အလွှာသည် ထူးခြားသောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုရှိပြီး ထိခိုက်မှုနှင့် ဖိသိပ်မှုတို့မှ ဝတ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းတို့ကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားစေသည်။ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်မြင့်မားပြီး ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ လျင်မြန်သောအပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ၎င်းသည် အာကာသယာဉ်၊ မော်တော်ယာဥ်အင်ဂျင်နီယာနှင့် အပူကို စွန့်ထုတ်ရန်လိုအပ်သည့် အခြားနေရာများကဲ့သို့သော အပူချိန်မြင့်သော စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

၎င်း၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူဓာတ်ဂုဏ်သတ္တိများအပြင်၊ Si3N4 ကြွေထည်အလွှာသည် ပြင်းထန်သောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ကောင်းမွန်သောလျှပ်စစ်ဓာတ်ကာနှင့် သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။ ပါဝါ module များနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော လျှပ်စစ်ပစ္စည်းနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုသည်

ယေဘုယျအားဖြင့် Si3N4 ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်အလွှာသည် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုများပါရှိသော ထူးခြားသည့်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသောစက်မှုစွမ်းအား၊ အပူတည်ငြိမ်မှု၊ လျှပ်စစ်လျှပ်ကာများနှင့် ဓာတုခံနိုင်ရည်များသည် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ထိရောက်မှုတို့သည် အရေးကြီးသောအချက်များဖြစ်သည့် စက်မှုနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အပလီကေးရှင်းအမျိုးမျိုးအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းအတွက် Torbo® Silicon Nitride ကြွေထည်အလွှာ

ပစ္စည်း-ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာ

ပစ္စည်း: Si3N4

အရောင်: မီးခိုးရောင်

အထူ: 0.25-1mm

မျက်နှာပြင် ပြုပြင်ခြင်း- နှစ်ဆ ပွတ်ပေးပါ။

အစုလိုက်သိပ်သည်းဆ- 3.24g/㎤

မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု Ra: 0.4μm

ကွေးနိုင်အား- (၃ မှတ်နည်းလမ်း): 600-1000Mpa

ပျော့ပျောင်းမှု၏ moduleus: 310Gpa

အရိုးကျိုးခြင်း ခိုင်မာမှု (IF နည်းလမ်း) : 6.5 MPa･√m

အပူလျှပ်ကူးမှု- 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielectric ဆုံးရှုံးမှုအချက်-၀.၄

ထုထည်ခံနိုင်ရည်- 25°C > 1014 Ω･㎝

ဖြိုခွဲနိုင်စွမ်း-DC >15㎸/㎜